檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="磊晶"
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶,成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長,以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術,其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份,本研究以Raman、RHEED系統量測…